公司在近期调研中释放的产品进展，试图为扩产提供支撑：700V高压BCD产品工程阶段取得重大突破，计划2026年释放产能；与芯微泰克合作的1200V背道激光退火超薄片IGBT进入工程批试样。技术突破与扩产规划形成对应，看似具备落地基础，但产能释放与市场需求、客户验证之间的时间差，仍然具备不确定性。
从设计角度看，EMIB-T不再局限于简单的2.5D互连，而是向3D封装技术Foveros靠拢，使得在更大芯片尺寸下实现高密度集成成为可能，为未来异构计算平台提供灵活封装架构。
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In simple terms, the ATM's small display (called a VDU or Video Display Unit in